LAM RAINBOW 4420等离子刻蚀机

1. 晶圆处理能力

尺寸范围：原生支持 6 英寸和 8 英寸晶圆，部分二手设备通过改造可兼容 4–5 英寸。

传输方式：卡匣到卡匣全自动传输，配备机器人搬运、边缘检测和中心对准功能，支持非接触式晶圆放置。

2. 工艺能力

材料覆盖：支持氧化硅（SiO₂）、氮化硅（SiN）、多晶硅（Poly-Si）、硅化物及光刻胶灰化等工艺。

刻蚀模式：支持等离子体刻蚀（Plasma Etch）与反应离子刻蚀（RIE）模式可编程切换，通过上下电极独立射频实现精确控制。

线宽能力：典型刻蚀线宽 ≥ 0.5 微米，部分改造后可支持 GaN、GaAs 等材料的低损伤刻蚀。

3. 硬件配置

腔室结构：单腔室设计，平行板电极结构，电极间距可在 0.5 cm 至 8.5 cm 范围内精确调节。

射频系统：

上电极和下电极独立射频（RF）供电，外置射频源（如 AE PDX-1250）。

标准频率为 13.56 MHz，功率范围 20–650 W；部分型号支持 400 kHz 低频射频以优化离子能量控制。

气体系统：

标配 6 路 MFC，可扩展至 8 路，兼容 SF₆、CF₄、CHF₃、O₂、He 等多种工艺气体，流量范围覆盖 50 sccm 至 1 slm。

气体控制精度高，支持多步工艺气体切换。

真空系统：

涡轮分子泵（如 Seiko Seiki STP H200C）+ 干泵组合，极限真空度达 10⁻⁶ Torr 级别。

压力控制采用蝶阀（AC-2″ 控制器），支持动态压力调节。

温度控制：

陶瓷静电卡盘（ESC）集成背面氦气冷却，温度控制精度 ±0.1°C。

独立 TCU（温度控制单元）对上下电极进行双回路温控，支持 14–35°C 范围。