“19%”——这是全球 Foundry 2.0 市场在 2025Q2 交出的同比增幅，也是过去三年最高的单季记录。Counterpoint 在最新《Semis in Focus》报告里给出一句定调：AI 对先进制程与先进封装的“双轮”需求，已经把半导体产业推到新一轮技术扩张的起点。下面我们一起来聚焦9月半导体动向。
一、先进制程：3nm 还在爬坡，2nm 已锁定 2027“C 位”
（1）2025 年纯代工市场营收预计突破 1650 亿美元，四年复合增速 12%。
（2）7nm 及以下节点贡献 56% 营收；3nm 单年同比暴涨 600%，拿下 300 亿美元；首次登场的 2nm 今年只占 1%，但我们测算其将在 2027 年占到 10% 以上，成为“寿命最长、钱景最广”的单节点。
图1：Global Pure-Play Semiconductor Foundry Market Revenue by Node, 2021 – 2025E
（3）TSMC 凭 3nm ramp 与 CoWoS 扩容，把市占从一年前的 31% 直接拉到 38%，独占 Foundry 2.0 市场 75% 的增量；Samsung、Intel 也在加速 2nm 试产，但客户窗口至少晚 TSMC 两个季度。
一句话：先进制程的“门票”越卖越贵，能上桌的玩家只剩三位。
二、HBM：SK hynix 历史性反超，三星“求翻盘”
（1）2025Q2 SK hynix DRAM+NAND 营收 155 亿美元，与三星并列全球第一；这是存储江湖十年来首次出现“并列冠军”。
（2）比特出货量口径看，三星 HBM 市占从 2024Q2 的 41% 骤降到 17%，SK hynix 则拉升至 55%，Micron 守住 21%。
（3）三星：三星要想在 H2 翻盘，必须“通过 NVIDIA 严苛质量认证并多元化 HBM3E 客户”，否则 HBM4 首代 10Gbps 的量产窗口将继续被 SK hynix 与 Micron 卡位。
技术侧亮点：HBM4 采用 16-stack 1c/1b DRAM 裸片 + 混合键合基 die，外围电路 I/O 密度翻倍，但良率瓶颈在基 die 的重新设计；SK hynix、Micron 已二次流片，三星仍处可靠性验证阶段。
图2 HBM Market Share By Bit Shipment
三、混合键合：万亿晶体管的“纵向”出口
（1）当晶体管数量从 100B 迈向 1T，唯一可行路径是 3D 集成，而混合键合（Hybrid Bonding）就是“新摩尔定律”的扳手。
（2）目前所有 HBM 供应商已把混合键合写进路线图；应用面从 HBM、3D DRAM 扩展到 Edge AI SoC、AR/VR、ADAS 激光雷达。
（3）技术收益：I/O 密度提升 10×，信号延迟降低 30%，每瓦性能提升 20% 以上，且可绕过前端 EUV 禁运——对中国厂商尤其关键。
混合键合设备 2025 年市场规模不足 15 亿美元，但 2027 年将翻倍，ASML、Lam Research、KLA都已把“Bonding & Alignment”模块塞进下一代蚀刻/量测平台。
表1 Hybrid Bonding Expansion into Future Applications
四、OSAT 第二成长曲线：AI GPU 订单让传统封测厂“翻红”
（1）2025Q2 OSAT 板块营收同比增 11%，而 2024 同期仅 5%；ASE 贡献最大增量，KYEC 靠 AI GPU 检测业务拿到 30%+ 增长。
（2）高级封装（2.5D/3D、Fan-out、Chip-on-Wafer）毛利率比传统打线高 8-12pct，成为 OSAT 今明两年扩产重点。
图3 Foundry 2.0 Market Share by Segment and Revenue (%), Q2 2024 vs Q2 2025
（3）报告预测：2026 年 AI GPU/ASIC 所需 CoWoS、InFO-oS 产能仍缺口 25%，台积电被迫把部分 CoWoS 中段制程外包给 ASE、Amkor，这是 OSAT 十年一遇的“上车”机会。
五、WFE（晶圆厂设备）：中国退坡，印度接棒？
图4 Top 5 WFE Manufacturers’ Revenues, H1 2025 vs H1 2024
（1）前五大 WFE 厂 2025H1 营收合计同比增 20%，ASML +35%、Lam +29%、KLA +26%。
（2）全年行业增速预计 10%，低于上半年，主因是“关税/出口管制”不确定性；但 2026 年先进封装、GAA-FET、HBM 扩产将重新拉回双位数。
（3）区域亮点：印度已批准 10 座 Fab+OSAT/ATMP 项目，补贴总额 100 亿美元；Tata 与 PSMC、Tokyo Electron、Synopsys、ASMPT 绑定，首座 28nm 厂 2026Q4 进设备，月产 5 万片。
（4）2027 年印度对 WFE 需求有望达 25-30 亿美元，相当于全球 4-5%，成为“中国+1”首选落脚点。
六、定制硅：Marvell 的“云优化”全套方案
1.AI 模型参数每 6 个月翻倍， hyperscaler 不再满足通用 GPU：
（1）定制 HBM：把 3264-bit JEDEC 接口压缩成 1024-bit 私有接口，I/O 功耗降 75%，裸片面积省 25%，已获 5 家云厂商 12 颗 XPU attach 订单。
（2）2nm 定制 SRAM：面积缩小 50%，待机功耗降 66%，带宽密度提升 17×。
（3）PIVR（封装集成稳压器）：把稳压器做进封装内部，IR 压降损失降 85%，总功耗降 15%，噪声降 60%，直接提升单 rack 算力密度。
2.Marvell 已拿到 18 个定制硅 socket，目标 2028 年占 AI 数据中心硅市场 20%，对应 180 亿美元 TAM。
图5 Marvell’s custom silicon memory products
七、智能手机 SoC：MediaTek 用 Dimensity 9000 系列“冲高端”
（1）2024 年 Dimensity 9000 系列出货 1800 万颗，同比增 60%；2025 预计 2400 万颗。
（2）9300/9400 两颗旗舰 SoC 营收 2024 年翻番至 20 亿美元，在中国高端安卓市场拿下 1/3 份额。
（3）核心优势：比同级骁龙 8 系列便宜 8-12%，功耗低 10-15%，且无需毫米波，正好切中中国、东南亚 400-600 美元档位。
（4）2025H2 将发布 Dimensity 9500，首次采用台积电 3nm，CPU 大核升级 Cortex-X5，AI Bench 得分对标 Snapdragon 8 Gen 4。
图6 Dimensity 9000 series shipments
写在最后：技术“内卷”才是真的繁荣
当传统摩尔定律减速，产业用 3D 集成、先进封装、定制硅和系统级优化把性能曲线继续掰弯——“内卷”的不是价格，而是技术深度。从 3nm 到 2nm，从 HBM3e 到 HBM4，从 CoWoS 到 Hybrid Bonding，从台积电、SK hynix 到 Tata、Marvell。
（文章来源：本文转自杰尼龟的半导体之家。转载仅用于分享、学习，不做商用。如有侵权，请联系删除。）
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